Vishay推出的新款VRPower集成式DrMOS功率級解決方案
2016-02-17 20:07:38 未知 |
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為滿足下一代筆記本電腦、超便攜筆記本和桌面PC對大電流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率級解決方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix 的這五款器件在熱增強(qiáng)的4.5mm x 3.5mm PowerPAK® MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝內(nèi)，組合了功率MOSFET、先進(jìn)的MOSFET柵極驅(qū)動IC和自舉肖特基二極管，占位面積比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常適合使用Intel®的Skylake平臺的計(jì)算平臺。器件還適用于工業(yè)PC和用在網(wǎng)絡(luò)和工業(yè)應(yīng)用中的大電流多相模塊。
現(xiàn)在的移動計(jì)算和桌面計(jì)算平臺需要比前一代產(chǎn)品更大的電流，同時要求面積和尺寸要比以往更小。今天推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封裝的集成器件可輸出最高30A的連續(xù)電流，5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封裝的器件可輸出40A連續(xù)電流。除了能輸出大電流和節(jié)省占位面積，這些功率級還減小了封裝寄生參數(shù)，使開關(guān)頻率最高能達(dá)到2MHz，從而減小輸出濾波器的尺寸，進(jìn)一步縮小了整個方案的尺寸和高度。為提高性能，器件的高邊和低邊MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET®技術(shù)，來減少開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。功率級的驅(qū)動IC兼容眾多PWM控制器，支持5V的三態(tài)PWM邏輯電平。
SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632適用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC電壓穩(wěn)壓模塊、CPU和GPU的多相VRD，以及存儲器。為在這些應(yīng)用里提高輕負(fù)載效率，器件的驅(qū)動IC帶有二極管調(diào)制模式電路和零電流檢測電路。自適應(yīng)死區(qū)時間控制有助于在所有負(fù)載點(diǎn)下進(jìn)一步提高效率。為支持IMVP8的PS4模式輕負(fù)載要求，當(dāng)系統(tǒng)在待機(jī)模式下運(yùn)轉(zhuǎn)時，功率級會把電流降到5μA，而且可以在5μs內(nèi)從這種狀態(tài)中喚醒。器件符合RoHS，無鹵素，具有欠壓鎖定 (UVLO)等保護(hù)功能。
器件規(guī)格表：
封裝 | 產(chǎn)品編號 | 連續(xù)電流 (A) | 最大電流 (A) | 輸入電壓 (V) | PS4 |
PowerPAK® MLP4535-22L (4.5 mm x 3.5 mm) | SiC530 | 30 | 40 | 4.5 ～ 18 | Yes |
SiC531 | 25 | 35 | 4.5 ～ 24 | No | |
SiC532 | 25 | 35 | 4.5 ～ 24 | Yes | |
PowerPAK MLP55-31L (5 mm x 5 mm) | SiC631 | 40 | 50 | 4.5 ～ 24 | Yes |
SiC632 | 40 | 50 | 4.5 ～ 24 | No |
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