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IR推出兩款40V車用COOLiRFET功率MOSFET產(chǎn)品

2014-10-16 19:43:37 本站原創(chuàng)
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IR宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品——AUIRFN8459和AUIRFN8458,為需要小體積、大電流的汽車應(yīng)用,比如泵電機控制、車身控制等提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻(Rds(on))。

在采用IR最先進的COOLiRFET™ 40V 溝道技術(shù)的車用5x6mm雙PQFN功率MOSFET產(chǎn)品系列中,AUIRFN8459和AUIRFN8458是最先推出的兩款產(chǎn)品。AUIRFN8459實現(xiàn)了基準(zhǔn)性能,即每通道5.9mΩ的超低導(dǎo)通電阻,可承載50A大電流。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“與傳統(tǒng)的DPAK (TO-252) 封裝相比,IR的AUIRFN8459和AUIRFN8458 40V 5x6mm雙PQFN COOLiRFET™器件的體積減小了50%以上,具有超低封裝電阻、電感值和基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻,十分適合要求高效率、高功率密度和節(jié)省空間的傳統(tǒng)12V汽車應(yīng)用,比如電機控制應(yīng)用。”

與SO-8封裝相比,新型5x6mm雙PQFN COOLiRFET™器件提供到電路板的低導(dǎo)熱路徑和更高的導(dǎo)熱性能,具有更高的效率和功率密度,以及更低的整體系統(tǒng)成本。

所有 IR 車用 MOSFET 產(chǎn)品都遵循 IR要求零缺陷的汽車質(zhì)量理念,并經(jīng)過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求器件在經(jīng)過1,000次溫度循環(huán)測試后,導(dǎo)通電阻變化幅度不能超過20%。

新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)要求,采用的物料清單環(huán)保、不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

規(guī)格

器件編號

封裝

V(BR)DSS

(V)

10v下的最大導(dǎo)通電阻(mΩ)

T為25°C時的最大ID (A)

10VGS 下的

QG典型值(nC)

AUIRFN8459TR

5x6mm 雙PQFN

40V

5.9mΩ

50A

40nC

AUIRFN8458TR

5x6mm 雙PQFN

40V

10mΩ

43A

22nC

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