英飛凌針對(duì)300A的大電流應(yīng)用推出全新TO-Leadless封裝
2014-09-04 21:12:59 本站原創(chuàng)英飛凌科技股份公司今日宣布推出全新的TO-Leadless封裝，該封裝具備更低的封裝電阻、顯著縮小的尺寸和更好的EMI性能。最新一代的OptiMOSTM MOSFET采用該封裝，用于叉車、輕型電動(dòng)車、eFuse、負(fù)載點(diǎn)和電信系統(tǒng)等具備高功率和高可靠性要求的應(yīng)用。
這種新型TO-Leadless封裝適用于高達(dá)300A的大電流。由于其具備低封裝電阻，因此能夠在各級(jí)電壓條件下，實(shí)現(xiàn)最低的通態(tài)電阻。全新封裝相對(duì)于7引腳D2PAK封裝，其尺寸縮小了 60%，這為實(shí)現(xiàn)十分緊湊的設(shè)計(jì)創(chuàng)造了條件。TO-Leadless的占板空間縮小了30%，因此，在叉車等應(yīng)用中占用的板卡空間更少。另外，封裝高度也降低了50%，這為機(jī)架或刀片式服務(wù)器等緊湊型應(yīng)用帶來了巨大優(yōu)勢(shì)。而低封裝寄生電感則使EMI性能得到了改進(jìn)。
“英飛凌憑借TO-Leadless封裝成為首家推出0.75mΩ 60V MOSFET的半導(dǎo)體公司。這有助于減少叉車應(yīng)用中的并聯(lián)MOSFET數(shù)量，提高功率密度。”英飛凌低壓功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic指出，“這種封裝可為客戶需要最高能效水平和可靠性的高功率應(yīng)用帶來巨大優(yōu)勢(shì)?！?/p>
此外，TO-Leadless的焊點(diǎn)接觸面積提高50%，從而導(dǎo)致電流密度進(jìn)一步降低。這有助于避免在高電流水平和高溫條件下出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象，從而使可靠性得到改進(jìn)。與其他的無引腳封裝不同，TO-Leadless由于具備鍍錫的溝槽式引腳，因此可實(shí)現(xiàn)光學(xué)檢測(cè)。
這種新型封裝是需要最高能效、非凡可靠性和最優(yōu)EMI性能以及最出色熱性能的高功率應(yīng)用的理想之選。
供貨時(shí)間
30V (最大電阻0.4 mΩ)、60V (最大電阻0.75 mΩ)、100V (最大電阻2.0 mΩ)和150V (最大電阻5.9 mΩ)TO-Leadless樣品現(xiàn)已提供，預(yù)計(jì)將于2013年第三季度量產(chǎn)。
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