英飛凌針對300A的大電流應用推出全新TO-Leadless封裝
2014-09-04 21:12:59 本站原創(chuàng)英飛凌科技股份公司今日宣布推出全新的TO-Leadless封裝，該封裝具備更低的封裝電阻、顯著縮小的尺寸和更好的EMI性能。最新一代的OptiMOSTM MOSFET采用該封裝，用于叉車、輕型電動車、eFuse、負載點和電信系統(tǒng)等具備高功率和高可靠性要求的應用。
這種新型TO-Leadless封裝適用于高達300A的大電流。由于其具備低封裝電阻，因此能夠在各級電壓條件下，實現(xiàn)最低的通態(tài)電阻。全新封裝相對于7引腳D2PAK封裝，其尺寸縮小了 60%，這為實現(xiàn)十分緊湊的設計創(chuàng)造了條件。TO-Leadless的占板空間縮小了30%，因此，在叉車等應用中占用的板卡空間更少。另外，封裝高度也降低了50%，這為機架或刀片式服務器等緊湊型應用帶來了巨大優(yōu)勢。而低封裝寄生電感則使EMI性能得到了改進。
“英飛凌憑借TO-Leadless封裝成為首家推出0.75mΩ 60V MOSFET的半導體公司。這有助于減少叉車應用中的并聯(lián)MOSFET數(shù)量，提高功率密度。”英飛凌低壓功率轉換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic指出，“這種封裝可為客戶需要最高能效水平和可靠性的高功率應用帶來巨大優(yōu)勢。”
此外，TO-Leadless的焊點接觸面積提高50%，從而導致電流密度進一步降低。這有助于避免在高電流水平和高溫條件下出現(xiàn)電遷移現(xiàn)象，從而使可靠性得到改進。與其他的無引腳封裝不同，TO-Leadless由于具備鍍錫的溝槽式引腳，因此可實現(xiàn)光學檢測。
這種新型封裝是需要最高能效、非凡可靠性和最優(yōu)EMI性能以及最出色熱性能的高功率應用的理想之選。
供貨時間
30V (最大電阻0.4 mΩ)、60V (最大電阻0.75 mΩ)、100V (最大電阻2.0 mΩ)和150V (最大電阻5.9 mΩ)TO-Leadless樣品現(xiàn)已提供，預計將于2013年第三季度量產(chǎn)。
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