賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 7 月11 日 — 日前,全球分立半導體和無源電子元件的最大制造商之一Vishay Intertechnology, Inc.
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多種標準和高性能功率封裝。全新MOSFET適用
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布兩款專門針對低速數據傳輸設計的微型紅外接收器TSDP34138/56和TSDP3433
意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電
氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 7 月8 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布兩款專門針對
英飛凌科技股份公司今日宣布推出DrBlade™ 2。這是一種集成式功率級器件,在緊湊、低矮型封裝中集成了兩顆功率MOSFET和一個DC/DC驅動IC
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