Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
2018-10-23 21:11:10 未知
碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000
碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多重優勢，包括電動和混動汽車、數據中心及輔助電源。相比同類的Si IGBT，LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET可帶來一系列系統級優化機會，包括提高效率、增加功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本的可能性。
此外，相比市面上其他業內領先的碳化硅MOSFET器件，Littelfuse碳化硅MOSFET可在各方面提供同等或更優越的性能。碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000的典型應用包括：
·太陽能逆變器
·開關模式和不間斷電源
·電機驅動器
·高壓DC/DC轉換器
·感應加熱
“此產品可改善現有應用，并且Littelfuse應用支持網絡可促進新的設計方案?！盠ittelfuse半導體事業部電源半導體全球產品營銷經理Michael Ketterer表示。 “碳化硅MOSFET可為基于硅的傳統功率晶體管器件提供富有價值的替代選擇。相比同類IGBT，MOSFET器件結構可減少每個周期的開關損耗并提高輕載效率。固有的材料特性讓碳化硅MOSFET能夠在阻斷電壓、特定導通電阻和結電容方面優于硅MOSFET。”
新推出的1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封裝，具有以下關鍵優勢：
·專為高頻、高效應用優化
·極低柵極電荷和輸出電容
·低柵極電阻，適用于高頻開關
供貨情況
LSIC1MO170E1000碳化硅MOSFET采用450只裝TO-247-3L管式封裝。您可通過全球各地的Littelfuse授權經銷商索取樣品。如需了解Littelfuse授權經銷商名錄，請訪問littelfuse.com。
