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Vishay新款25V N溝道功率MOSFET有效提升電源效率和功率密度

2017-11-27 17:27:20 未知

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器件在10V下的最大導通電阻為0.58mΩ，柵極電荷為61nC，采用小尺寸PowerPAK^® SO-8單片封裝

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的25V N溝道TrenchFET^® Gen IV功率MOSFET---SiRA20DP，這顆器件在10V的最大導通電阻為業內最低，僅有0.58mΩ。Vishay SiliconixSiRA20DP具有最低的柵極電荷，導通電阻還不到0.6mΩ，使柵極電荷與導通電阻乘積優值系數(FOM)也達到最低，可使各種應用提高效率和功率密度。

今天發布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK^®SO-8封裝，是目前最大導通電阻小于0.6mΩ的兩顆25V MOSFET之一。與同類器件相比，SiRA20DP的典型柵極電荷更低，只有61nC，FOM為0.035Ω*nC，低32%。其他25V N溝道MOSFET的導通電阻則要高11%甚至更多。

SiRA20DP的低導通電阻可減小傳導功率損耗，提高系統效率，實現更高的功率密度，特別適合冗余電源架構中的OR-ring功能。器件的FOM較低，可提高開關性能，如通信和服務器電源中DC/DC轉換，電池系統中的電池切換，以及5V到12V輸入電源的負載切換。

這顆MOSFET經過了100%的R_G和UIS測試，符合RoHS，無鹵素。

SiRA20DP現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十五周。