旨在增加的直流/直流轉(zhuǎn)換器的功率密度，該DMC1028UFDB互補MOSFET對集成了一個N溝道MOSFET，并在單DFN2020封裝的P溝道MOSFET。
該設(shè)計是專為那一步從3.3降至1V核心供電電壓ASIC的負載點轉(zhuǎn)換器。目標應(yīng)用是以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)控制器，在這種設(shè)備中使用的路由器，網(wǎng)絡(luò)接口控制器（NIC）的處理器，交換機，數(shù)字用戶線（DSL）適配器，服務(wù)器和機頂盒（STB）等。
性能參數(shù)進行了優(yōu)化，二極管說，為了最大限度地提高效率，同時驅(qū)動負載高達3A。有一個低19米？的Rds（on）在3.3V的低側(cè)N溝道MOSFET的，這是在為三分之二的開關(guān)周期的Vgs的;和低柵極電荷5Nc的源一量（Qg），在3.3V時為P溝道MOSFET的柵極電壓，以減少開關(guān)損耗，說公司。
使用P溝道MOSFET，以實現(xiàn)高側(cè)開關(guān)元件，簡化設(shè)計并減少相比的N溝道MOSFET，需要電荷泵的元件數(shù)量。功率密度是通過組合P溝道和N溝道器件，作為一個互補MOSFET對，在一個單一的DFN2020包一倍。這表示，該公司，是相對于在同一尺寸封裝的MOSFET個人。
