ST的新650V超結MOSFET提升能效和安全系數
2014-12-02 20:11:06 本站原創 |
ST的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。
MDmesh M2系列產品擁有最新最先進的超結晶體管技術，取得了比上一代產品更低的導通電阻(RDS(ON))，以及更低的柵電荷量(QGD)和輸入/輸出電容(Ciss/Coss)。此外，這些產品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)，讓開發人員能夠設計出更高效的電源。
同時，與市場現有產品的600V典型擊穿電壓相比，意法半導體的新產品將該參數提高至650V，確保新產品具有更高的安全系數，讓設備廠商能夠設計更穩健且更可靠的電源系統。
新系列產品還增加了一款采用表面貼裝封裝的PowerFLAT 5x6 HV高壓產品，雖然封裝表面積和厚度都很小，但熱效率和電流處理能力俱佳。計劃于2015年第1季度投入量產的PowerFLAT 5x6 HV封裝可有效提高功率容量，助力設備廠商研制尺寸更小的下一代產品，且在實現輸出功率變得更高的同時，不會影響其工作可靠性。
MDmesh M2 MOSFET的目標應用包括筆記本電腦、打印機和游戲機等設備的外接電源，以及電視機和音響系統的內部電源。3W-25W單排以及大功率多排LED燈引擎驅動器也將受益于新產品的高熱效和高性能。PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇，為尺寸精巧的家用和商用逆變器模塊帶來MDmesh M2產品的能效優勢。
22 MDmesh M2 650V MOSFET現已上市，最大額定電流范圍為4A至11A，最低導通電阻RDS(ON)降至0.360Ω。STD6N65M2采用D2PAK封裝。
