Vishay推出具有業內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
2014-01-22 14:11:35 本站原創采用PowerPAK® SO-8封裝的P溝道Gen III MOSFET在10V下的RDS(ON)低至0.0016Ω，可用于移動計算
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 1 月22 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V電壓下的導通電阻分別低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移動電子設備的效率。
Si7157DP適用于筆記本電腦的電源管理中的負載和電池開關。現在的設計師承受著讓這些器件更薄更輕的壓力，這意味著要減小電池尺寸，進而縮短使用壽命。與此同時，圖形處理和Wi-Fi等功能又在增加對電池的使用，使得電源效率成為設計的首要目標。
Si7157DP的低導通電阻使設計者能夠在其電路里實現更低的壓降和傳導損耗，更有效地使用電能，并延長電池壽命，尤其是在峰值負載下，同時其小尺寸6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝占位面積可節省寶貴的PCB空間。器件在峰值電流下的低壓降還提供了欠壓鎖定電平以上更大的電壓裕度，有助于防止在帶負載時下出現不希望的欠壓鎖定情況。
Si7157DP進行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。像其他Vishay Siliconix P溝道Gen III MOSFET一樣，Si7157DP采用最先進的工藝技術制造，把10億個晶體管元胞放進1平方英寸的硅片里。有關公司P溝道Gen III MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新款P溝道MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。
