飛兆半導體的四路MOSFET解決方案提高了效率
2013-05-02 21:54:48 本站原創高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統的圖像傳感器，也會降低相機的圖片質量。 調節熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數量，占用電路板空間，讓這些設計變得更復雜。 飛兆半導體 的FDMQ86530L 60V四路MOSFET為設計人員提供了一體式封裝，有助于克服這些嚴峻的設計挑戰。
FDMQ86530L解決方案由四個60V N溝道組成，采用飛兆GreenBridge™技術，改進了傳導損耗和傳統二極管整流橋的效率，將功耗降低了10倍。 該器件采用熱增強、節省空間的4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝，免去了散熱需要，實現了緊湊設計，提高了12和24V AC應用中的功率轉換效率。
規格：
· 最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V，ID = 8A)
· 最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V，ID = 7A)
· 最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V，ID = 6.5A)
封裝和報價信息(訂購 1,000 個，美元)
按請求提供樣品。交貨期：收到訂單后 8-12 周內
FDMQ86530L產品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引腳封裝，價格為 1.38美元。
FDMQ86530L產品是飛兆半導體全面的分立式MOSFET產品組合的一部分，再次體現了公司承諾：即提供最具創新的封裝技術，以目前最先進的系統實現最小尺寸、最大熱性能和最高效率。
