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東芝推出新款IGBT/MOSFET門驅動光電耦合器

2013-01-11 08:59:18 本站原創

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東芝公司今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns，光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns，這樣的性能可減少逆變電路的死區時間(dead time)，提高效率。新產品使用了壽命超長的新LED，可支持-40°C至125°C的工作溫度。此外，該耦合器可將最低工作電壓降至10V(東芝此前型號的最低工作電壓只可降至15V)，進而有助于降低功耗。該耦合器可應用于一系列產品中，包括高溫環境中使用的工業設備，家用太陽能光伏發電系統，數碼產品以及測量與控制儀器。該產品的樣品現已推出，并計劃于2月份投入量產。

應用

IGBT/功率MOSFET門驅動器，功率調節器，通用逆變器，IH(感應加熱)設備，等等。

主要特性

1. 工作電壓：VCC=10 - 30V

2. 傳輸延遲時間：tpLH, tpHL=500ns (最大值)

3. 傳輸延遲偏差：±150ns (最大值)

4. 寬廣的保證工作溫度范圍：Topr=-40°C - 125°C

5. 峰值輸出電流：IOP=±2.5A (最大值)

6. 低輸入電流：IFLH=5mA (最大值)

7. 隔離電壓：BVS=5000Vrms (最小值)

8. 共模瞬態抑制：CMR=±40kV/μs