羅姆開發出用于DC/DC轉換器的耐壓30V功率MOSFET
2012-06-20 20:45:20 本站原創新系列的產品陣容為耐壓30V的共16種產品。羅姆獨家的高效特性，有助于各種設備的DC/DC電源電路實現更低功耗。另外，根據不同用途提供3種小型封裝，可減少安裝面積，更加節省空間。
關于生產基地，前期工序在羅姆的總部（日本京都市），后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國），從2012年4月開始出售樣品（樣品價格30～50日元/個），從5月份開始以月產100萬個的規模進行量產。
近年來，隨著服務器和筆記本電腦等的高性能化發展，CPU等的功耗不斷增加，工作電壓越發低電壓化，設備的電源電路的溫升和電池驅動時間減少已成為很大問題。在這種情況下，在同期整流方式降壓型DC/DC轉換器等各種電源電路中內置功率MOSFET，使之承擔與提高電源的電力轉換效率直接相關的重要作用。為了實現高效低損耗的功率MOSFET，降低導通電阻和柵極容量是非常重要的，然而權衡兩者的關系后，往往很難同時兼顧。
新系列產品，除了進一步微細化，采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”，同時實現了低柵極容量與低導通電阻。作為DC/DC轉換器用功率MOSFET的性能指數所使用的“FOM”與傳統產品相比降低了50％，達到了業界頂級的高效性。由此，不僅降低了同期整流型DC/DC電源電路的高邊（High Side）的開關損耗，而且降低了低邊（Low Side）的導通損耗，可大大提高電路整體的效率。另外，能夠在高頻下進行同期整流動作，使外圍部件的小型化成為可能。
此外，本產品為了確保在同期整流電路中的性能，針對Rg（柵極電阻）、UIS（L負載雪崩耐量）實施了100%試驗，在質量方面也具有高可靠性。羅姆今后也將充分發揮獨創的先進工藝加工技術，不斷推進設想到客戶需求的晶體管產品的開發。
＜特點＞
1） 低導通電阻、低容量
進一步微細化，同時，采用羅姆獨家的低容量構造和新的“溝槽式場板結構”，實現了低容量與低導通電阻兼備的元件。與羅姆傳統產品相比，表示功率MOSFET的性能指數的“FOM”數值可降低50％。
2） 實現業界頂級的高效率
在同期整流型DC/DC電源電路中采用此次的功率MOSFET，可大大降低電力損耗，因此有助于設備的更低功耗。特別是高頻下的特性卓越，使外圍部件的小型化成為可能。
3） 采用小型封裝，有助于更加節省空間，產品陣容中還包括復合封裝
根據不同用途，提供3種小型封裝。HSMT8比HSOP8的安裝面積減少了65%，為節省空間做出巨大貢獻。而且，產品陣容中還包括DC/DC電源電路中的高邊（High Side）用MOSFET與低邊（Low Side）用MOSFET復合化的新封裝HSOP8(Dual)。不僅安裝面積減小，而且還可有助于減少安裝次數。
＜規格＞
＜術語解說＞
・DC/DC轉換器
將直流電壓轉換為直流電壓的電源電路。例如，將服務器和電腦等設備內部的12V標準電壓轉換為使微處理器和存儲器等IC工作的各種電壓（5V～0.9V等）。
・FOM（Figure of merit）
表示功率MOSFET性能的指數，以Ron×Qgd的數值表示。數值越小越優異。
