AOS推出具行業領先標準并適用便攜式應用的功率MOSFET
2011-11-17 16:45:26 本站原創新的特色產品：超薄的DFN3X3 封裝，超低的Rdson
日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
新的產品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術。這些技術的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產品，例如：平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數碼相機及便攜式音樂播放器。
AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市面上具有相同封裝的同類產品中最低的。在柵極電壓為2.5V時，AON7421的RDS(ON)比其它競爭者要低20%。AON7423是一款低開啟門限電壓的MOSFET，低至1.5V，適合應用在低電壓范圍的負載切換。
AOS低壓MOS的負責人Peter Wilson介紹：“AOS長期致力于給客戶提供高效能的電源解決方案。這個系列的20V P溝道AlphaMOS產品設定了高功率密度和高效能的新基準，符合了延長電池壽命的要求。”所有的產品都是無鹵的而且出廠時會100%檢測Rg和UIS。
圖1：延長便攜時產品的電池使用壽命0.8毫米厚度封裝
Device Specification Table
VDS | VGS | Max. RDS(ON) | PD @ TA = 25℃ | ID @ TA = 25℃ | |||||
@ -10V | @ -4.5V | @ -2.5V | @ -1.8V | @ -1.5V | |||||
AON7421 | -20 V | ±12 V | 4.6 mΩ | 5.7 mΩ | 8.2 mΩ | — | — | 6.2 W | -50 A |
AON7423 | -20 V | ±8 V | — | 5 mΩ | 6.4 mΩ | 8 mΩ | 10.5 mΩ | 6.3 W | -50 A |
