羅姆開發出可在高溫條件下工作的壓鑄模類型SiC功率模塊
2011-11-19 10:12:25 本站原創近年來，在迅速發展的EV/HEV車等所代表的電力電子技術領域，要求提供更高功率化、更高效化、更高溫工作的元器件，因此，各公司在進行SiC器件開發的同時，都在開發可在高溫下高效工作的SiC模塊。羅姆于2010年10月世界首次實現將搭載了SiC溝槽MOSFET的模塊(600V/450A)和搭載了SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）的二極管模塊(600V/450A)內置于電機并成功驅動。關于模塊，由于傳統的壓鑄模類型無法耐受200℃以上的高溫，因此長期使用的是耐熱特性達250℃材料的母模類型。羅姆一直不懈地推進與母模類型相比有利于小型化、低成本化、量產化的壓鑄模類型的開發。但是，能在200℃以上溫度環境下使用的封裝樹脂多為硬質材料，存在高溫環境下容易開裂等課題，超過200℃的高耐熱壓鑄模類型的開發曾一度陷入困境。此次，羅姆通過樹脂的物理特性與模塊結構的優化設計，做到了225℃的耐熱性和小型化，在世界上最先實現了壓鑄模類型、在225℃高溫下的高功率工作。羅姆將SiC器件本身的特點與此次的新封裝類型相結合，與具有相同功能的傳統Si-IGBT模塊相比，體積更小，僅為1/50，電氣特性方面也實現了“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，因此，開關時間減少了一半，成功的大幅度的提高了速度。
羅姆今后還將繼續致力于面向汽車相關市場、其他市場的SiC器件及SiC模塊的開發。
