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日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部：日本京都市）日前面向EV/HEV車（電動汽車/混合動力車）和工業(yè)設備的變頻驅動，開發(fā)出符合SiC器 件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器 件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。這種模塊是600V/100A三相變頻，搭載了羅姆的6個SiC-SBD和6 個SiC溝槽MOSFET，經(jīng)驗證工作溫度可高達225℃。此外，該模塊使用范圍可達1200V級。因此，與傳統(tǒng)的Si-IGBT模塊相比，其損耗大大降 低，不僅可實現(xiàn)小型化，而且與以往的母模類型SiC模塊相比，還可大幅降低成本。本產品預計于3～4年后達到實際應用階段。在此基礎上，針對搭載了門極驅 動器IC的IPM，羅姆還計劃使用本技術，開發(fā)搭載SiC的壓鑄模類型DIP型、可高溫條件下工作的、使用范圍達600V/50A的IPM。

近年來，在迅速發(fā)展的EV/HEV車等所代表的電力電子技術領域，要求提供更高功率化、更高效化、更高溫工作的元器件，因此，各公司在進行SiC器 件開發(fā)的同時，都在開發(fā)可在高溫下高效工作的SiC模塊。羅姆于2010年10月世界首次實現(xiàn)將搭載了SiC溝槽MOSFET的模塊 (600V/450A)和搭載了SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）的二極管模塊(600V/450A)內置于電機并成功驅動。關于模塊，由于傳統(tǒng)的壓鑄 模類型無法耐受200℃以上的高溫，因此長期使用的是耐熱特性達250℃材料的母模類型。羅姆一直不懈地推進與母模類型相比有利于小型化、低成本化、量產 化的壓鑄模類型的開發(fā)。但是，能在200℃以上溫度環(huán)境下使用的封裝樹脂多為硬質材料，存在高溫環(huán)境下容易開裂等課題，超過200℃的高耐熱壓鑄模類型的 開發(fā)曾一度陷入困境。此次，羅姆通過樹脂的物理特性與模塊結構的優(yōu)化設計，做到了225℃的耐熱性和小型化，在世界上最先實現(xiàn)了壓鑄模類型、在225℃高 溫下的高功率工作。羅姆將SiC器件本身的特點與此次的新封裝類型相結合，與具有相同功能的傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比，體積更小，僅為1/50，電氣特 性方面也實現(xiàn)了“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，因此，開關時間減少了一半，成功的大幅度的提高了速度。

羅姆今后還將繼續(xù)致力于面向汽車相關市場、其他市場的SiC器件及SiC模塊的開發(fā)。

＜主要特點＞

１）225℃高溫工作

２）6 in 1封裝，適用600V/100A級的變頻驅動　　　　　　　

３）以壓鑄模類型實現(xiàn)了小型化

４）通過“全SiC”（溝槽式MOS和SBD）化，實現(xiàn)了高速化、高效化

＜主要規(guī)格＞

＜模塊的靜態(tài)特性＞

＜模塊的開關波形＞

（測量條件：　Ids=100A、Vds=300V、負載：L=200uH、Rg=3.2Ω、Rgs=15kΩ）

＜壓鑄模類型SiC功率模塊＞