Diodes推出超小型MOSFET
2011-05-30 21:59:17 本站原創因此，該MOSFET的運行溫度更低，并可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，尤其適用于超薄便攜式消費電子產品，包括平板電腦及智能手機。 Diodes 率先提供額定電壓為20V、30V及60V的N溝道和P溝道器件，這些器件可用于多種高可靠性的負載開關 (load switching)、信號轉換 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用。
例如，額定電壓為20V的DMN2300UFB4 N溝道MOSFET的導通電阻僅為150mΩ，比同類解決方案低一半以上，有助于大幅減少傳導損耗和功耗。而P溝道、20V 的DMN2300UFB4可提供類似的同類領先性能。這兩款MOSFET同時具備較高的靜電放電額定值 (ESD Rating)，分別為2kV和3kV。
