N溝道MOSFET概述
2010-08-17 08:55:39 本站原創N溝道MOSFET概述
N溝道MOSFET有三個電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當VGS=0時，漏、源極之間無原始導電溝道，ID=0；當VGS>0但是比較小時，漏、源極之間也無導電溝道。當VGS>VGS(th)，
在D和S之間加正電壓，就會產生漏極電流ID，ID將隨VGS的增加而增大。
用MOSFET作為開關應用時，可以用圖1中的模型來分析，當G、S極電壓為零時，D、S不導通，相當于開路。當柵極電壓為10V，源極電壓為0V時，就有電流ID流過漏、源極，漏極和
源極之間處于導通狀態。MOSFET內部漏極、源極之間有一個寄生的反向二極管。該二極管在電路圖中常常未被標出，當MOSFET處于關斷狀態，如漏源極有負向電壓時，
二極管可能會導通，在設計時要注意這一點。
RTR025P02TL
RTQ030P02TR
RTL030P02TR
RTQ035P02TR
RTL035N03TR
RSR025N03TL
RSM002P03T2L
RSS090P03TB
RSX101VA-30TR
2SK3018T106
2SK3019TL
2SK3541T2L
2SK3065T100
RK7002T116
RR255M-400TR
RHP020N06T100
RHU002N06T106
RTL035N03TR
制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET Small Signal
RoHS: 詳細信息
配置: Single Quad Drain
晶體管極性: N-Channel
封裝 / 箱體: TUMT6
電阻汲極/源極 RDS（導通）: 0.56 Ohms
汲極/源極擊穿電壓: 30 V
閘/源擊穿電壓: 12 V
漏極連續電流: 3.5 A
功率耗散: 1 W
封裝: Reel
