N溝道MOSFET概述
2010-08-17 08:55:39 本站原創(chuàng)N溝道MOSFET概述
N溝道MOSFET有三個電極，分別是源極S、漏極D和柵極G。當(dāng)VGS=0時，漏、源極之間無原始導(dǎo)電溝道，ID=0；當(dāng)VGS>0但是比較小時，漏、源極之間也無導(dǎo)電溝道。當(dāng)VGS>VGS(th)，
在D和S之間加正電壓，就會產(chǎn)生漏極電流ID，ID將隨VGS的增加而增大。
用MOSFET作為開關(guān)應(yīng)用時，可以用圖1中的模型來分析，當(dāng)G、S極電壓為零時，D、S不導(dǎo)通，相當(dāng)于開路。當(dāng)柵極電壓為10V，源極電壓為0V時，就有電流ID流過漏、源極，漏極和
源極之間處于導(dǎo)通狀態(tài)。MOSFET內(nèi)部漏極、源極之間有一個寄生的反向二極管。該二極管在電路圖中常常未被標(biāo)出，當(dāng)MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，如漏源極有負(fù)向電壓時，
二極管可能會導(dǎo)通，在設(shè)計(jì)時要注意這一點(diǎn)。
RTR025P02TL
RTQ030P02TR
RTL030P02TR
RTQ035P02TR
RTL035N03TR
RSR025N03TL
RSM002P03T2L
RSS090P03TB
RSX101VA-30TR
2SK3018T106
2SK3019TL
2SK3541T2L
2SK3065T100
RK7002T116
RR255M-400TR
RHP020N06T100
RHU002N06T106
RTL035N03TR
制造商: ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET Small Signal
RoHS: 詳細(xì)信息
配置: Single Quad Drain
晶體管極性: N-Channel
封裝 / 箱體: TUMT6
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 0.56 Ohms
汲極/源極擊穿電壓: 30 V
閘/源擊穿電壓: 12 V
漏極連續(xù)電流: 3.5 A
功率耗散: 1 W
封裝: Reel
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