恩智浦
半導體（NXP Semiconductors）今天宣布推出兩種擁有0.65 mm的行業最低高度新2 mm x 2 mm小信號分立無鉛封裝。通過具有良好的熱性能和導電性的無遮蔽散熱片，塑料SMD（表面封裝器件）封裝的使用壽命得到了提高，并提供3引線（SOT1061）和6引線（SOT1118）兩個版本。新產品包括26款FET-KY、雙P通道 MOSFET、低VCesat晶體管和肖特基整流器 ，最高功耗Ptot 2.1 W。該性能大致與行業標準封裝SOT89（SC-62）相當，但是只占用一半的電路板空間。
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半導體小信號分立器件產品市場經理Ralf Euler表示：“電路板空間以及功率耗散是當前纖薄緊湊型電池供電設備設計中的關鍵因素，恩智浦提供了一系列廣泛的小型封裝組合來支持業界實現更小尺寸的終端設備。新的產品線是移動設備、智能手機和掌上電腦中高性能充電電路、負載開關以及開關
電源（SMPS）等應用的理想選擇。”
SOT1061和SOT1118封裝中不含鹵素與氧化銻，并符合耐燃性等級UL 94V-0和RoHS標準。
采用SOT1118封裝的雙P通道MOSFET/ FET-KY（PMFPB6532UP, PMFPB6545UP, PMDPB65UP）
全新SOT1118封裝的兩款20V/3A FET-KY（集成了低VF的肖特基二極管）和一款20 V雙P溝道MOSFET將于六月底發布。
提供額外的1 kV（HBM）防靜電（ESD）保護，提高了ESD強健性。
在帶有ESD保護的20V級別的產品中，新的FET- KY（PMFPB6532UP和PMFPB6545UP）導通電阻為業界最低，柵極電壓（VGS）4.5 V下額定電阻為80毫歐。而為了提高能效，在電流1A時其正向導通電壓（VF）也同樣為業界最低，分別為365 mV和520 mV。雙P溝道MOSFETPMDPB65UP在4.5V的VGS 下擁有低至70毫歐的導通電阻，是高效
電源管理應用的理想選擇。
全新SOT1061封裝的14款高效低 VCEsat晶體管符合其作為突破性小信號（BISS）晶體管的稱號：6A電流下的超低飽和電壓低至200mV，相當于只有33毫歐的RCEsat。
涵蓋了12V～100V的全部電壓范圍，新的PBSS*PA系列集電極電流（ICM）峰值高達7A。
便于客戶采用SOT1061封裝產品代替大尺寸封裝的晶體管，從而在更小的占位面積上達到相同的性能。
采用SOT1061封裝的低VF肖特基整流器（PMEG*EPA系列）
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半導體公司的PMEG*EPA肖特基整流器，不僅具備低正向壓降，而且擁有高正向電流，是該類器件中第一款置于無鉛中功率SOT1061封裝中的產品。
五個符合AEC-Q101標準的的單一類型，平均正向電流高達2A，反向電流在 20V和60V之間。并將在今年六月新增四個1A和2A的雙整流器。
集成的保護環用于應力保護，與市場上其他同類產品相比，擁有更高的性能和效率。
