NXP擴充Trench 6 MOSFET產品線
2010-02-10 14:19:07 本站原創NXP推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性。
LFPAK是一種功率封裝，通過優化設計實現最佳熱/電性能、成本優勢和可靠性。LFPAK是汽車行業標準AEC-Q101唯一認可的Power- SO8封裝形式，在極端惡劣的工作條件下仍具有出色的耐受性和可靠性。
產品主要特點：
3.6 mΩ（典型值），60 V，Power-SO8封裝(PSMN5R5-60YS)
10.0 mΩ（典型值），100 V，Power-SO8封裝(PSMN012-100YS)
全球首款電阻小于1 mΩ，25V，Power SO8封裝MOSFET開關型應用器件
Power-SO8器件最高工作溫度：175 °C
符合汽車電子器件AEC - Q101標準的Power-SO8封裝
LFPAK封裝最大額定電流：ID(MAX)＝100A
支持目視檢測設備檢測（很多其他Power-SO8產品需要X光檢測）
突波耐受
符合RoHS規定，無鹵封裝
除新型Power SO-8封裝產品，恩智浦還推出了符合TO220 (SOT78)業界標準的60V和100V器件，在原有30V、40V和80V產品基礎進一步擴大了Trench 6 MOSFET產品線。新產品系列在各種應用場景下都表現出優異的性能。Trench 6硅技術結合TO220封裝在提高工作效率，降低開關損耗，改善電流容量，增加功率密度等方面起到顯著的提升作用，這些對于目前的高性能電源管理應用具有 重要意義。
產品主要特點：
2.4 mΩ（典型值），60 V，TO220封裝 (PSMN3R0-60PS)
4.3 mΩ（典型值），100 V，TO220封裝(PSMN5R6-100PS)
最高額定工作溫度：175 °C
最大額定電流：ID(MAX) = 100 A
突波耐受
符合RoHS規定，無鹵封裝
低熱阻
上市時間
新型TRENCH 6 MOSFET器件即將上市。
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