凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步降壓型穩(wěn)壓器LTC3605,該器件運(yùn)用恒定頻率控制的接通時(shí)間和電流
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的全球領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 10 月 2 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 9 月 11 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 9 月 8 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推
作者:山水 時(shí)間:2008-05-04來源:電子產(chǎn)品世界 瀏覽評(píng)論對(duì)于便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品,燃料電池和太陽能電池等新的供電方式還處在概念階段,鋰/
新的HiTj系列雙向晶閘管在結(jié)溫高達(dá)150攝氏度時(shí)仍能保持標(biāo)稱電性能,在高溫條件下電器交流負(fù)載控制性能優(yōu)異
極低的品質(zhì)因數(shù),DPAK封裝,更低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗: 在一個(gè)典型穩(wěn)壓模塊內(nèi)最大功耗小于3瓦
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