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臺積電宣布啟動2nm工藝研發(fā)：預(yù)計2024年投產(chǎn)

 

不過臺積電方面并沒有給出2nm工藝所需要的技術(shù)和材料。但是按照臺積電給出的指標(biāo)，2nm工藝是一個重要節(jié)點(diǎn)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm。也就是說，2nm制程相比于3nm要小了23％。

 

臺積電沒有透露，看晶體管結(jié)構(gòu)示意圖和目前并沒有明顯變化，能在硅半導(dǎo)體工藝上繼續(xù)壓榨到如此地步真是堪稱奇跡，

 

當(dāng)然，在量產(chǎn)2nm之前臺積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節(jié)點(diǎn)。其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù)，目前已經(jīng)投入量產(chǎn)；6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產(chǎn)；5nm全面導(dǎo)入極紫外光刻，已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn)，明年底之前量產(chǎn)，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)；3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。

 

至于接下來，臺積電能不能做到1nm，就要看造化了。


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