ASML計劃今年出貨30臺EUV光刻機，將推出光刻速度更快的3400C
2019-01-31 08:57:21 EETOPASML上周表示計劃在2019年出貨30臺EUV光刻機，將比2018年有大幅增加。由于對EUV光刻機的需求不斷增加以及半導體制造商正在建造更多的新晶圓廠，該計劃并不令人意外。
資料顯示，截至去年7月，全球各公司、研究機構（包括imec）等總共安裝了31臺EUV光刻機。不過，遺憾的是，迄今，大規模使用EUV（極紫外光刻）技術的先進工藝仍未量產，三星7nm LPP理論上進度最快，但當下僅限于在S3工廠小規模投產，年底位于韓國華城、投資6萬億韓元（約合362億元）的工廠竣工后，將是三星7nm EUV主力廠，預計將于今年晚些時候完工，并于2020年開始大批量生產。
另外，臺積電的第二代7nm也將在非關鍵步驟上采用EUV技術，Intel、SK海力士也都對EUV光刻機有強烈需求。
臺積電將于今年下半年開始使用其用于商業晶圓的Twinscan NXE光刻機，以使用其N7 +制造技術生產芯片。最初的EUV光刻機將用于非關鍵層，但它們的使用將在2020年--2021年擴展到 5納米節點。臺積電表示，幾乎所有使用其N7制造工藝的客戶也將使用其N5技術進行下一步 - GEN芯片。
英特爾和SK海力士的需求將進一步推動對ASML Twinscan NXE工具的需求。英特爾將擴展其在俄勒岡州，以色列和愛爾蘭的工廠，因此需要EUV工具。此外，該芯片制造商將需要EUV光刻機來裝備亞利桑那州的Fab 42。這些工廠將用于生產采用英特爾7納米制造工藝的芯片 。SK海力士將為其位于韓國利川附近的新工廠提供EUV工光刻機。
根據ASML，一個EUV層需要一個EUV步進光刻系統，每月約45,000個晶圓啟動。隨著半導體領先制造商不斷擴大EUV工具的使用范圍，他們將需要額外的光刻機，這自然會增加對ASML Twinscan NXE產品的需求。
與此同時，ASML將在2019年推出產能更高的新型號Twinscan NXE: 3400C光刻機，取代現款售價1.2億美元（約合8億）的Twinscan NXE: 3400B。3400C的每小時晶圓雕刻能力從155片提升至170片，換裝Cymer公司的340W光源，可實現更高的性能。ASML的Twinscan NXE：3400C將使芯片制造商能夠控制下一代芯片的周期時間。
“我們在第四季度發布了6個系統，這意味著2018年共有18個EUV出貨量，”ASML首席執行官Peter Wennink在上周的電話會議上表示。“隨著本季度訂購的五個訂單，2019年的30個系統的出貨計劃被覆蓋。在DUV，我們在2018年交付了189個新系統，比2017年增加了17％，我們能夠進一步增加產量以支持邏輯和內存客戶的需求。我們繼續推進我們最新的浸入式系統NXT：2000，創造了成熟的客戶產量。“
