我國“光電子集成芯片及其材料關鍵工藝技術”取得突破
2017-12-20 11:37:32 n據科技部消息，光電子集成芯片及其材料關鍵工藝技術是新材料領域重要的發展方向之一，是未來高速大容量光纖通信、全光網絡、下一代互聯網、寬帶光纖接入網所廣泛依賴的技術。“十二五”期間，863計劃新材料技術領域支持了“光電子集成芯片及其材料關鍵工藝技術”主題項目。近日，863新材料技術領域辦公室在北京組織專家對該主題項目進行了驗收。
“光電子集成芯片及其材料關鍵工藝技術” 項目針對光子集成中的關鍵問題，發展了新的器件結構和集成方法，在單一芯片上研究了多波長解復用陣列波導光柵（AWG）與波導探測器陣列的高效耦合集成方法及工藝，有效解決了結構和工藝兼容問題，實現了多波長并行高速波導探測器芯片集成；開展了硅基二氧化硅AWG、硅基PIN型可調光衰減器（VOA）器件制備工藝和集成芯片關鍵技術研究，制備出硅基AWG與VOA集成芯片。通過項目的產業化實用技術研究，形成16通道硅基平面光波回路型AWG芯片、VOA芯片的批量生產能力。
“十三五”期間，為進一步推動我國材料領域科技創新和產業化發展，瞄準國家重大需求、全球技術和產業制高點，科技部制定了《“十三五”材料領域科技創新專項規劃》，在新材料技術發展方面，重點發展戰略性電子材料、先進結構與復合材料、新型功能與智能材料，滿足戰略性新興產業的發展需求。在戰略性電子材料發展方向中對高端光電子與微電子材料進行了系統布局， 重點研究低維半導體異質結材料、半導體傳感材料與器件、新型高密度存儲與自旋耦合材料、高性能合金導電材料、微納電子制造用新一代支撐材料、高性能電磁介質材料和無源電子元件關鍵材料、聲表面波材料與器件技術等。
