TSMC：7nm高性能芯片6月流片，2019年試產5nm工藝
2017-05-26 20:04:54 n三星今天宣布了未來三年的半導體制造工藝路線圖，將推出8nm、7nm、6nm、5nm及4nm工藝，其中2020年的4nm工藝將是一個重大技術突破，將會采用全新的Multi Bridge Channel FET結構（簡稱MBCFET，多溝道場效應管）解決現有FinFET晶體管的缺陷。無獨有偶，三星的老對手TSMC今天也召開了年度技術大會，雖然沒有宣布三星4nm那樣的技術突破，不過TSMC表示10nm已經開始量產，7nm明年就能量產，5nm則會在2019年風險試產。
TSMC公司聯席CEO魏哲家在會議上提到他們已經累計服務了450多家代工伙伴，涉及移動運算、高性能計算、自動駕駛及IoT物聯網等領域，平均算下來每周新增一家客戶。
在半導體制程工藝上，TSMC表示移動領域的10nm工藝已經量產，7nm已經有12個客戶流片，預計2018年量產，5nm則會在2019年風險試產。
高性能部分，7nm芯片在6月份會有流片——TSMC的高性能客戶不多（相對移動、低功耗產品來說），NVIDIA還有之前的AMD都算是高性能芯片用戶，目前公開宣布7nm路線圖的也沒幾家，NVIDIA的7nm芯片大概沒這么早，AMD倒是說今年晚些時候有7nm芯片流片，不過時間也不太對得上。
雖然AMD之前公布的路線圖中說7nm還是繼續由GF代工，但是從之前雙方的晶圓供應協議來看，AMD在7nm節點保留了選擇別的代工伙伴的權利，GPU這種高性能芯片轉交給TSMC代工也不是沒可能。大家覺得AMD會重新回歸TSMC代工的懷抱嗎？贊成的加小超哥（id：95101417）微信來聊聊。
除此之外，TSMC的16nm FFC芯片在車載電子領域也會有8款芯片流片，7nm工藝還將在2018年通過AEC-Q100認證。
