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英特爾承諾10納米領先一切對手 性能升25%功耗降45%

2017-04-03 18:35:28 n
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英特爾此前已經談論過多次 10 納米的 Cannon Lake 芯片了,每一次對于發布時間都有一種新的說法。今年年初的時候曾表示,公司對 10 納米很有信心,不出意外 Cannon Lake 會出現在今年的 2 合 1 設備上。最近英特爾又發話了,聲稱 Cannon Lake 將是公司的黃金產品,工藝制程上遠勝于激進的三星和臺積電

按照英特爾的說法,Cannon Lake 是超濃縮的產品,晶體管數量可以是上一代的兩倍,而在這一優勢下,將有助于 CPU 性能提升 25% 左右,并且功耗降低至少 45%。英特爾稱,年底上市的 10 納米芯片在 1 平方毫米內可以塞進 1 億個晶體管,鰭片間距做到34nm,最小金屬間距則做到 36nm。

很顯然,英特爾將摩爾定律的希望寄托到了 Cannon Lake 身上,畢竟按照該定律,集成電路的晶體管數量大約每兩年增加一倍。雖然摩爾定律在大多數分析看來已經死亡,而且英特爾也將芯片真正更新換代的周期調整到了 36 個月,但現在英特爾依然對該定律的前景看好。

英特爾將延續摩爾定律。” 這是英特爾在近日 Technology and Manufacturing Day 活動上通過 PPT 所表達的態度,不過沒有強調定律的內容,而是更多的談及了經濟學,聲稱保持在合理價格范圍內,自己可以提供越來越強大的芯片

英特爾還確認,接下來 10 納米芯片也會分為三步走,分別是 10 納米、10 納米+ 和 10 納米++,走完這三步才會進入到 7 納米工藝制程。其中 10 納米 + 工藝相比 10 納米 CPU 性能再次提升 15%,且功耗再降低 30% 左右。

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