聯電宣布 14 納米 FinFET 制程正式進入客戶芯片量產階段
2017-02-23 20:26:03 n晶圓代工大廠聯華電子（以下簡稱聯電）23 日發出消息宣布，該公司所自主研發的 14 納米鰭式場效電晶體 (FinFET) 制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段。聯電表示，目前出貨給主要客戶的 14 納米量產晶圓，良率已達先進制程的業界競爭水準，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
聯電CEO顏博文表示，此次 14 納米量產里程碑的達成，是聯電與客戶攜手努力的成果。這象征了我們已成功地以合作模式，將先進技術導入市場。同時，聯電與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此制程，充分發揮 14 納米 FinFET 在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代硅芯片于網絡、人工智能和各類消費產品等各領域的應用。
聯電表示，聯電的 14 納米 FinFET 制程效能競爭力已達業界領先標準，速度較 28 納米增快 55%，閘密度則達 2 倍。此外，14 納米制程的功耗亦較 28 納米制程減少約 50%。此 14 納米客戶芯片現正于聯電臺南的 Fab 12A 晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其 14 納米產能。
