物聯網將掀晶圓代工變革？日本及三星策略大轉向
2016-08-25 21:19:17 n物聯網改變的不只是消費者的生活，對產業而言，更是一場典范轉移。物聯網之下，以往制造業大量生產創造規模經濟的模式不再，取而代之的是多元化應用 與少量多樣的產品特性，日本在今年 4 月推出迷你晶圓廠（Minimal Fab）強調造價低廉、小批量生產，就是瞄準物聯網感測器少量多樣的需求。
現在連三星也出現晶圓代工策略的大改變，不只是為物聯網，更是為降低對高通與蘋果等大客戶的依賴。據韓國媒體 ET News 報導，三星正在改變原本量產的晶圓代工策略，轉向小量多樣化接單，并開始接美國、韓國、中國中小型規模廠商訂單，三星稱此計劃為“開放式晶圓廠（open foundry）”。報導中指出包含如 HanaTech、AlphaChips、KoreaChips 等韓廠，以及臺灣世芯（AllChip）、中國芯原（VeriSilicon）、美國加州 e-Silicon 等其他海外 IC 設計廠都是三星此次策略合作的對象。
不只接單，制程技術或也可能出現變化，FinFET 技術被視為 20 納米以下半導體制程微縮的重要技術，不少半導體大廠將資源傾注在 FinFET，但在物聯網浪潮來臨，FD-SOI（全耗盡型絕緣層覆矽）技術也日漸受到重視。與 FinFET 相比，FD-SOI 基板雖然較貴，但在掩模數量與制造工序比 FinFET 來得少，減少部分光罩成本也縮減了制造時間，在技術上比 FinFET 更適合類比/混合訊號、RF，FD-SOI 還具備了低功耗的優勢，因此，不少人認為 FD-SOI 將是物聯網較佳選擇，或能與 FinFET 互補。
FD-SOI 由意法半導體借力與三星、IBM、格羅方德所組的 ISDA（國際半導體開發聯盟）所開發，除了掌握技術的意法半導體本身，三星以 FinFET 致力在 14 納米、10 納米等先進制程競逐外，也在生命周期較長的 28 納米制程布建 FD-SOI 產能，傳出 FD-SOI 已達到黃金良率，并估計于第三季開始量產。
而格羅方德押寶 FinFET 的同時，在去年即基于 22 納米 FD-SOI 推出“22FDX”平臺，聲稱晶粒尺寸縮減 20%，光罩數目減少 10%；相較 foundry FinFET，減少近 50% 的浸潤式微影層，并強調對比 28 納米 HKMG 功耗的大幅縮減。
物聯網掀起的變革，從晶圓代工也可見端倪。
