在11月27日上午的工業報告主題板塊,來自三菱電機半導體大中國區的高級工程師韓輝先生,發表了名為“感知IGBT芯片溫度和電流的EV/HEV專用功率模塊”的專題報告。報告主要圍繞IGBT模塊感知芯片溫度和電流的特點和可靠性兩方面進行展開。不同于傳統的過溫/短路保護方式,硅片上集成溫度傳感器可以直接檢測IGBT結溫,實現更安全、快速的IGBT過溫保護,而硅片級電流傳感器則可以感知IGBT電流,幫助實現更可靠的短路保護,從而保證模塊更長久地運行。另外,韓輝先生還詳細闡述了三菱電機汽車級功率模塊如何實現高可靠性的技術原理。IGBT模塊壽命的根源在于不同材料的熱脹冷縮問題,三菱電機采用直接主端子綁定(DLB)技術,擴大綁定面積的同時提高功率循環壽命,更在散熱基板和底板采用相同的鋁材料,結合不需要焊接的灌裝封裝技術,從而有效提高熱循環壽命,進而保證汽車級功率模塊的可靠性。目前,三菱電機推出了基于該技術的非定制汽車級功率模塊J1系列 EV PM及其解決方案。 三菱電機電動汽車用J1系列功率模塊EV PM