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Altera公開業(yè)界第一款集成了HBM2 DRAM和FPGA的異構(gòu)SiP器件

2015-11-19 19:20:51 未知

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Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天公開業(yè)界第一款異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP，System-in-Package)器件，集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲(chǔ)器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件，其特殊的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)滿足了高性能系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器帶寬最嚴(yán)格的要求。

數(shù)據(jù)中心、廣播、固網(wǎng)和高性能計(jì)算等系統(tǒng)要處理的數(shù)據(jù)量不斷攀升，需要的帶寬非常高。相對(duì)于目前的分立DRAM解決方案，Stratix 10 DRAM SiP的存儲(chǔ)器帶寬提高了10倍。

Altera是將這種突破性的3D堆疊存儲(chǔ)器技術(shù)和FPGA集成在一起的第一家公司。Stratix 10 DRAM SiP支持用戶以高功效的方式定制其工作負(fù)載，獲得最大存儲(chǔ)器帶寬。Altera與數(shù)十家客戶積極合作，在其下一代高端系統(tǒng)中集成了這些DRAM SiP產(chǎn)品。

Altera的異構(gòu)SiP產(chǎn)品是使用Intel的嵌入式多管芯互聯(lián)橋接(EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的。EMIB技術(shù)采用高性能、高密度硅片短橋接在單個(gè)封裝中將多個(gè)管芯連接起來。EMIB技術(shù)的管芯之間走線非常短，支持Altera以高性價(jià)比方式構(gòu)建異構(gòu)SiP器件，與基于中介層的解決方案相比，性能更好，吞吐量更大，而功耗更低。

Altera企業(yè)戰(zhàn)略和營銷資深副總裁Danny Biran評(píng)論說：“我們很多客戶在系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)需要大量計(jì)算的任務(wù)時(shí)，面臨最大的一個(gè)難題是怎樣支持越來越高的存儲(chǔ)器帶寬需求，這些系統(tǒng)包括機(jī)器學(xué)習(xí)、大數(shù)據(jù)分析、圖像識(shí)別、工作負(fù)載加速和8K視頻處理等。Altera在單個(gè)封裝中同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界性能最好的FPGA與寬帶存儲(chǔ)器，在滿足這些系統(tǒng)需求方面有自己的優(yōu)勢(shì)。還沒有其他可編程解決方案在性能、功效和存儲(chǔ)器帶寬上達(dá)到Stratix 10 DRAM SiP的水平。”

Altera的異構(gòu)SiP策略是在單個(gè)封裝中集成單片FPGA和先進(jìn)的組件，例如，存儲(chǔ)器、處理器、模擬、光和各類硬核協(xié)議等。Altera高度集成的SiP產(chǎn)品將滿足通信、高性能計(jì)算、廣播和軍事領(lǐng)域高端應(yīng)用最苛刻的性能和存儲(chǔ)器帶寬需求。www.altera.com/stratix10上的白皮書詳細(xì)介紹了Altera的異構(gòu)SiP策略。

在極小的外形封裝中，SK Hynix的寬帶存儲(chǔ)器不但帶寬非常高，而且功耗低于競爭存儲(chǔ)器解決方案。寬帶存儲(chǔ)器(HBM2，High-Bandwidth Memory)縱向堆疊了DRAM管芯，使用直通硅片過孔(TSV，through-silicon vias)和微焊球?qū)⑵溥B接起來。在異構(gòu)SiP中集成HBM2，這種實(shí)現(xiàn)方式使得Altera能夠?qū)RAM存儲(chǔ)器盡可能靠近FPGA管芯進(jìn)行封裝，從而縮短了走線長度，以最低功耗實(shí)現(xiàn)最大存儲(chǔ)器帶寬。

高性能應(yīng)用推動(dòng)了業(yè)界對(duì)HBM2 DRAM技術(shù)的需求。SK Hynix美國技術(shù)營銷副總裁Kevin Widmer說：“達(dá)到每秒256GB帶寬，每比特功耗降低66%，HBM2開辟了新應(yīng)用領(lǐng)域，這在以前是不可想象的。在單個(gè)系統(tǒng)級(jí)封裝中集成高性能FPGA和HBM2，為高能效、寬帶計(jì)算功能樹立了重大的里程碑。”