恩智浦推出雙電源電壓ARM Cortex-M0微控制器
2012-02-21 21:19:57 本站原創恩智浦半導體微控制器業務部市場總監Jan Jaap Bezemer表示：“通常，在單個微型封裝中目前還無法實現高性能雙電源電壓的產品。LPC1100LV系列在同一器件中將電池供電應用的這些關鍵要求獨特地結合起來，使客戶可以打造前所未有的低功耗解決方案。”
針對低功耗、快速喚醒而設計
得益于恩智浦最新256字節擦除扇區和低漏電流的嵌入式專有閃存，LPC1100LV可以在低時鐘頻率下出色地處理線性電流消耗，同時還能降低系統功耗。例如，在智能手機等移動系統中，多數系統元件需要在大多數時候保持功耗極低的睡眠模式。在需要使用器件時，必須在極短的時間內快速喚醒并達到峰值性能。而LPC1100LV的喚醒時間為5us，完全符合這一要求。
更高效地執行要求更高的任務
恩智浦的LPC1100LV器件可實現50 MIPS的性能，而8/16位MCU的典型性能僅為1至5 MIPS。其出色的表現使LPC1100LV可以更快地完成要求極高的任務，并減少保持活動模式的時間，從而進一步降低器件的平均功耗。對于相同的任務，LPC1100LV借助特有的1.65V-1.95V VDD低電壓輸入，功耗比競爭對手采用3.3V VDD輸入的Cortex-M0器件低三倍以上，比典型8/16位MCU低十倍以上。可以充分發揮LPC1100LV的MIPS性能優勢的子系統包括：系統安全和驗證 (包括處理AES-256加密)、系統接口和控制 (如鍵盤和觸摸屏)、系統外設控制 (音頻和照明) 以及軟件堆棧的運行 (如藍牙低功耗無線電)。
小尺寸和獨特的電平轉換功能
LPC1100LV采用恩智浦2-mm x 2-mm微型芯片級封裝 (WLCSP) —— 是全球最小體積的32位MCU。該款器件同時提供5-mm x 5-mm HVQFN封裝選擇，為CPU和I/O提供1.8V VDD和3.3V VIO雙電壓輸入，并具有獨特的SSP/SPI (3.3V) 和I2C (1.8V) 間電平轉換能力。恩智浦還為大客戶提供SRAM、閃存和封裝的定制組合。
LPC1100LV器件的其他關鍵技術參數包括：
• 高達50MHz的Cortex-M0 CPU
• 1.6uA深度睡眠電流和5us喚醒時間
• 最高8 KB SRAM和32 KB閃存
• SPI、UART和I2C
• 最高10位、8通道ADC，采樣率為400 ksps
• 32位和16位定時器各2個
• 精度為1%的12 MHz振蕩器，
• WL-CSP25、HVQFN24和HVQFN33三種封裝選擇 (提供BGA封裝)
目前已開始為主要客戶提供樣片。
