Vishay新款薄膜條MOS電容器為混合裝配提供高功率
2015-05-18 21:25:36 未知日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，針對高功率混合裝配、SiC和GaN應(yīng)用中的使用環(huán)境，推出新的薄膜條MOS電容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可處理高功率，工作電壓高達(dá)100V，有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)兩種小外形尺寸，能夠在不犧牲性能的情況下，實(shí)現(xiàn)更小的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
今天推出的這些器件具有高工作電壓和5pF～100pF的電容，以及魯棒的MOS結(jié)構(gòu)，適用于LC、RC或LRC濾波，RF扼流，以及直流隔離和阻抗匹配。對于這些應(yīng)用，BRCP可以采用多引線鍵合，最小容值的外形A、外形B的電容器分別有7個(gè)鍵合和15個(gè)鍵合。
條形電容器的TCC低至±50ppm/℃，絕對公差只有±5%。器件具有優(yōu)異的負(fù)載壽命穩(wěn)定率，可以在-55℃～+150℃溫度范圍內(nèi)工作。
BRCP條形MOS電容器現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。
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