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德州儀器推出業界首款 DDR3 寄存器的量產版本

2008-05-11 15:54:48 本站原創
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2008 年 4 月28 日,北京訊
德州儀器 (TI) 宣布推出業界首款針對寄存式雙列直插式存儲器模塊 (RDIMM)的鎖相環 (PLL) 集成式 DDR3 寄存器的量產版本。該器件在廣泛的電壓與溫度范圍內實現了恒定的時鐘與輸出延遲,從而實現了較高的系統穩定性。單芯片四排模塊支持不僅能夠節省總體板級空間,而且還降低了功耗,從而能夠滿足服務器、工作站與存儲設備的要求。(更多詳情,敬請訪問:http://focus.ti.com.cn/cn/docs/prod/folders/print/sn74ssqe32882.html。)

SN74SSQE32882 28 位至 56 位寄存緩沖器可在 1.5 V VDD 下工作,并支持奇偶校驗功能,以確保可靠性。該器件支持 800 Mbps 至 1,333 Mbps 的高數據速率,從而實現了更高的靈活性,并可在一個模塊上支持多達 72 個 DRAM。

其他關鍵特性包括:
• CKE 關斷模式;
• 控制模式寄存器;
• 輸出驅動器強度控制;
• 工作頻率:300 至 670 MHz。

SN74SSQE32882 超出了美國電子工程設計發展聯合協會 (Joint Electron Device Engineering Council) 就整個溫度與電壓范圍內的穩定性定義的規范要求,這就保證了高性能服務器系統的可靠性。

TI 接口與時鐘產品部總經理 Nick Hassan 表示:“TI 很高興率先向市場推出符合規范要求的、完全兼容的 DDR3 寄存器。通過與主要業界合作伙伴的通力配合,TI 推出了 超過 DDR3 系統嚴格性能與穩定性要求的 SN74SSQE32882。”

DDR 解決方案簡化設計工作
TI 的 DDR3 寄存器壯大了主要 DDR2 寄存器與 PLL 器件(如 CDCUA877 與 SN74SSTUB32866)的產品陣容。此外,TPS51116 與 TPS51100 DC/DC 控制器還顯著減少了支持 DDR 系統所有電源管理要求所需的外部組件數。

供貨情況
采用 176 焊球 MicroStar™ BGA 封裝的 SN74SSQE32882 現已開始供貨

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