ST的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETsSTripFET F7系列將新增60V的產(chǎn)品線
2015-09-16 21:12:45 未知 |
ST的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETsSTripFET™ F7系列將新增60V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流－直流（DC/DC）電源轉(zhuǎn)換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導(dǎo)通能效和開關(guān)性能，還簡化了通道間的槽柵結(jié)構(gòu)（trench-gate structure），實現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻、電容和柵電荷量，并取得優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（RDS(ON) x Qg）。此外，本征體二極管的恢復(fù)電荷（recovery charge）很低，有助于提高開關(guān)性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩(wěn)健，反向傳輸電容對輸入電容（Crss/Ciss）的比值低，有助于強化抗電磁干擾（EMI immunity）。
意法半導(dǎo)體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流（synchronous rectification）電路定制，能夠以更少的并聯(lián)器件達到最大目標電流，以此提高功率密度、降低元器件使用數(shù)量。該系列共有12款產(chǎn)品，覆蓋了所有工業(yè)標準電源，最大輸出電流從90A到260A（在Tc=25°C下，硅限制連續(xù)漏極電流）。新產(chǎn)品提供多個封裝選擇，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、雙引腳或六引腳H2PAK。
所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)（包括采用PowerFLAT 5x6封裝的90A STL90N6F7）
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