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電壓可變衰減器提高了GaAs器件的線性度

2015-08-17 21:10:57 未知
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RFQ="s frequency coverage to a range of 1MHz to 6GHz." style="padding: 0px; margin: 0px auto; font-family: Arial, 宋體; font-size: 14px; line-height: 26px;">兩個RF電壓可變衰減器（VVA），展開IDT的頻率覆蓋范圍為1MHz至6GHz。在F2255和F2258都稱可提供業界領先的低插入損耗和高線性度。

兩款器件均采用小型3.0×3.0毫米，16針TQFN封裝。他們都聲稱提供有競爭力的解決方案一半的插入損耗，和IP3性能的1000倍更好地30分貝比與之競爭的砷化鎵（GaAs設備。據該公司介紹，該硅技術提供了改進的RF性能優勢以及更強大的ESD保護，更好的潮濕敏感度等級，改善熱性能，更低的功耗，以及硅技術的成熟可靠性，衰減器表現出兩端的電壓控制范圍呈線性-dB的衰減特性，而低插入損耗降低射頻鏈路路徑損耗。

它們匹配流行腳印和適合于基站（2G，3G和4G），微波的基礎設施，公共安全，便攜式無線通信/數據設備，測試/ ATE設備，軍事系統，JTRS無線電，和HF，VHF和UHF無線電。

輸入IP3高達65dBm，與33分貝/ V和最小的回波損耗的最大衰​​減斜率高達6000MHz，12.5分貝。
 
在F2255支持的頻率范圍向下到1MHz，而這兩種設備具有雙向RF端口，支持任何3.0或5V的一個正電源電壓，并具有-40至105℃的工作溫度范圍。

 

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