Cree公司采用破紀錄的高功率射頻器件解決TWT雷達系統問題
2015-05-17 20:56:17 未知科銳公司在氮化鎵（GaN）射頻器件的領導者，推出了解決了一些長期存在的問題，對于采用傳統的雷達系統兩個業界領先的GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）器件行波管（TWT）放大器。基于GaN的固態放大器在50V操作不容易看到的高電壓（kV）行波管的電源，從而在故障機制，提供更長的壽命。此外，這樣的固態系統提供能力接近即時的沒有熱身，更長的檢測范圍，提高目標識別。
從一開始，使這些系統優勢的設想，Cree公司的兩個新的GaN射頻晶體管進行了設計，以提供最高的功率和效率住在一個小的封裝尺寸。所述第一裝置，一個350W /50Ω全匹配的GaN HEMT是最高功率C波段晶體管可在市場上。第二，一個500W /50Ω的GaN HEMT，最高功率S波段晶體管完全匹配到50Ω的單端封裝的尺寸。這兩款器件將在展示業界首屈一指的技術會議，國際微波研討會，將于5月17日至21日在亞利桑那州鳳凰城。
“Cree的新的C波段和S波段的產品打破電力紀錄住在一個小的封裝50ΩGaN功率和效率的表現。這種高效的功率晶體管能夠達到所需的防御，天氣和空中交通管制雷達多千瓦功率放大器的結合經濟，“湯姆·德克爾，銷售和營銷，Cree公司射頻主任。 “如果我們認為值得的數字輸出功率相對RF至50Ω封裝的面積，Cree的350W C波段裝置了約3.5倍擊敗最接近商業化的GaN競爭對手。使用功德的數字相同，Cree的500W S波段設備提升了45％，比其他商業S波段的產品。“
提供典型脈沖飽和功率性能大于400瓦，CGHV59350最常用于在陸基防御和多普勒氣象雷達系統。該50Ω，完全匹配的氮化鎵HEMT工作在5.2 - 5.9GHz的帶寬，具有60％的典型漏極效率，并封裝在一個行業標準0.7“×0.9”陶瓷/金屬法蘭封裝。
提供700瓦特典型的飽和RF脈沖功率時，CGHV31500F提供空中交通管制雷達系統。該50Ω，完全匹配的氮化鎵HEMT工作在2.7 - 帶寬為3.1GHz，具有12分貝功率增益，并封裝在一個行業標準0.7“×0.9”陶瓷/金屬封裝。
