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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

2013-12-06 09:19:13 本站原創(chuàng)
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴(kuò)展其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是為在移動計(jì)算設(shè)備中提高效率和節(jié)省空間而設(shè)計(jì)的,在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻。

Si8851EDB把P溝道Gen III技術(shù)與MICRO FOOT的無封裝CSP技術(shù),以及30pin設(shè)計(jì)和引腳布局結(jié)合在一起,在給定的面積內(nèi)提供了盡可能低的導(dǎo)通電阻。與最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比,Si8851EDB的高度薄50%,在4.5V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻幾乎只有一半,單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低37%。Si8851EDB的導(dǎo)通電阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET,外形尺寸小56%,單位封裝尺寸的導(dǎo)通電阻低30%以上。

今天推出的器件高度只有0.4mm,適和在平板電腦、智能手機(jī)和筆記本電腦的電源管理應(yīng)用中用作負(fù)載和電池開關(guān)。Si8851EDB的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者可以在其電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降,從而更有效地使用電能并延長電池使用壽命,同時其小占位可節(jié)省寶貴的PCB空間。Si8851EDB的典型ESD保護(hù)達(dá)到6kV,有助于保護(hù)手持設(shè)備避免因靜電放電而損壞,同時保證在生產(chǎn)過程能對零組件進(jìn)行安全的加工處理。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2011/65/EU。

Si8851EDB是Vishay的MICRO FOOT家族的最新成員。

Si8851EDB現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。

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