聯發科技ISSCC論文入選再創新高 董事長蔡明介將發表專題演講
2013-11-10 21:38:09 本站原創聯發科技股份有限公司今天宣布, 今年共有八篇論文獲「IEEE國際固態電路研討會」 (IEEE International Solid-State Circuit Conference，簡稱ISSCC) 入選殊榮，此紀錄不僅為臺灣第一，更創半導體產業新高，再次證明聯發科技在前瞻技術研發方面的領先地位。為此，董事長蔡明介先生將受邀于2014年ISSCC年度論壇發表專題演講。
聯發科技董事長蔡明介將于ISSCC論壇上就「云端 2.0：移動終端和通信之趨勢與挑戰」專題展開演講，內容將專注于未來云端2.0時代半導體及物聯網技術的發展。蔡明介先生表示： 「IEEE國際固態電路研討會是全球IC設計領域論文發表的最高指標，很榮幸能受邀發表專題演說。聯發科技積極投入創新技術研發，并持續將臺灣的研發成果推上世界技術頂尖殿堂，此次多篇論文獲選，表示聯發科技推動半導體技術突破獲得肯定。」
聯發科技過去十年來已超過30余篇論文獲ISSCC入選，顯示聯發科技對于ISSCC和半導體產業的貢獻。而ISSCC委員會在過去一年中已接受八篇聯發科技發表的學術論文，其中一篇入選論文名為「28納米最佳低功耗高性能之異構四核心CPU、雙核心GPU之應用」，顯示聯發科技在異構多任務處理(Heterogeneous Multi-Processing，簡稱HMP)，中央處理器 (CPU) 以及低熱能與低功耗技術獲得肯定。
聯發科技另外六篇獲得ISSCC入選發表的論文，分別名為「具數字穩壓及自我溫度補償數字控制振蕩器之全數字鎖相回路」、「應用于產生實時頻率的 1.89奈瓦/0.15伏自充電石英振蕩器」、「采用40納米CMOS技術并應用于2G/3G分時多任務CDMA多頻段,無電感,無表面聲波濾波器的接收機」、「26.6 支持非對稱負載且適用于金線封裝與單面置鍵的2.667Gbps DDR3內存界面」、「具有0.29mm2面積0.19psrms頻率噪聲和<-100dBc參考突波適用于802.11ac之40nm CMOS頻率合成器」、「基于110納米制程的包含一個三模可重構鎖相回路和一個單通道PICC-PCD接收機的自校準NFC系統單芯片」。
2014年ISSCC將于2月9日至2月13日在美國加州舊金山舉行。 2014年會議的主題是Silicon Systems Bridging the Cloud。
