東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊
2013-11-06 16:35:42 本站原創(chuàng)東芝公司今天宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。該模塊符合最新的e･MMCTM [1]標準，旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
能夠支持高分辨率視頻和提供更大存儲空間的高密度NAND閃存芯片的需求不斷增長。這在包含控制器功能的嵌入式存儲器領域尤為明顯，這種嵌入式存儲器可以使開發(fā)要求降至最低，并使得整合進系統(tǒng)設計更加便利。東芝正通過增強其高密度存儲器產品系列來滿足這一需求。
該公司的新型32 GB嵌入式設備在11.5 x 13 x 1.0mm的小封裝中整合了4個64Gbit(相當于8GB)NAND芯片(采用東芝的19納米第二代尖端工藝技術制造)和一個專用控制器。它符合JEDEC于9月發(fā)布的JEDEC e･MMCTM 5.0版標準，并且通過采用新的HS400高速接口標準實現了高讀寫性能。
東芝將在密度為4GB至128GB的單一封裝嵌入式NAND閃存系列中使用這些NAND芯片。所有設備都將整合一個控制器來管理NAND應用的基本控制功能。
在16GB和32GB產品之后，東芝將依次推出4GB、8GB、64GB和128GB產品。
主要功能
1. 符合JEDEC e･MMCTM 5.0版標準的接口可以處理基本功能，包括寫塊管理、糾錯和驅動軟件。它可簡化系統(tǒng)開發(fā)，讓制造商能夠使開發(fā)成本最小化，并加快新產品和升級產品的上市速度。
2. 嵌入系統(tǒng)后，128GB模塊能夠以128Kbps比特率記錄長達2,222小時的音樂、16.6小時的全高清視頻和38.4小時的標清視頻[2]。
3. 新產品采用使用19納米第二代尖端工藝技術制造的NAND閃存芯片。
4. 新產品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封裝，并且擁有符合JEDEC e･MMCTM 5.0版標準的信號布局。
[1] e･MMCTM是采用JEDEC e･MMCTM標準規(guī)格制造的嵌入式存儲器產品的商標和產品類別。
[2] HD和SD分別按照17Mbps和7Mbps的平均比特率計算。
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