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19家歐洲知名半導體企業和學術機構宣布正式啟動為期3年3.6億歐元的Places2Be先進技術試制項目，支持全耗盡型絕緣層上硅(FD-SOI)技術的產業化。

意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)被指定為該項目的負責方。Places2Be(“Pilot Lines for Advanced CMOS Enhanced by SOI in 2x nodes, Built in Europe”)項目旨在于支持28納米及以下技術節點的FD-SOI試制生產線的部署以及在歐洲實現規模生產的雙貨源。 Places2Be將有助于基于FD-SOI平臺的歐洲微電子設計生態系統發展，同時探索此項技術向下一個目標(14/10納米)發展的途徑。

FD-SOI是下一代低功耗、高性能半導體制程，可取代標準的(“bulk”)硅和FinFET技術。首批FD-SOI系統級芯片預計將被用于消費電子、高性能計算機和網絡設備。

項目預算近3.6億歐元，來自7個國家的19個組織參與該項目，在三年項目執行期內，計劃約500名工程師在歐洲參與項目研發活動，Places2Be是ENIAC聯盟迄今最大的項目，投資方還包括項目成員國的國家機關。 Places2Be是ENIAC JU簽定的關鍵使能技術(KET)試制項目之一，旨在于開發對社會影響巨大的技術和應用領域。

該項目的FD-SOI制造源位于歐洲兩個最大的微電子集群地：試制生產線在意法半導體的Crolles制造廠(法國格靳諾布爾附近)，雙制造源在德累斯頓GlobalFoundries1號制造廠(德國)。

意法半導體研發合作計劃總監兼項目協調人François Finck表示：“Places2Be項目將加強格勒諾布爾和德累斯頓兩個微電子集群地的生態系統發展，除材料和IP投資產生的直接影響外，還會對歐洲整體產業鏈 –大中小企業、創業公司和研究機構產生積極的影響。”

編者注

Places2Be成員(按字母順序)

• ACREO Swedish ICT AB, 瑞典
• Adixen Vacuum Products, 法國
• Axiom IC, 荷蘭
• Bruco Integrated Circuits, 荷蘭
• Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, 法國
• Dolphin Integration, 法國
• Ericsson AB, 瑞典
• eSilicon Romania S.r.l., 羅馬尼亞
• Forschungzentrum Jülich Gmbh, 德國
• GlobalFoundries Dresden, 德國
• Grenoble INP, 法國
• IMEC Interuniversitair Micro-Electronica Centrum vzw, 比利時
• Ion Beam Services, 法國
• Mentor Graphics France Sarl, 法國
• SOITEC SA, 法國
• ST-Ericsson
• 意法半導體（Crolles2 SAS, SA, Grenoble SAS）， 法國
• Université Catholique de Louvain, 比利時
• University of Twente, 荷蘭

成員國:

• 比利時
• 芬蘭
• 法國
• 德國
• 羅馬尼亞
• 瑞典
• 荷蘭

關于FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)

FD-SOI代表“全耗盡型絕緣層上硅”。這項技術可改進晶體管溝道的靜電控制，提高晶體管性能和能效。準確地講，Places2Be采用超薄體埋氧層(UTBB)FD-SOI，可動態調整晶體管性能，在晶體工作過程中選擇低功耗或高速度。

關于ENIAC JU

歐洲納電子計劃顧問委員會(ENIAC)聯盟(JU)是納米工業上市公司與私營企業的聯盟組織，成員來自ENIAC成員國、歐盟和歐洲納米電子技術研究協會(AENEAS)。

該組織負責協調研發活動，通過項目競標進一步提高芯片的小型化和集成度，從而提高芯片的功能性。將提供新材料、設備和工藝、新架構、創新的制程、全新的設計方法、新封裝和系統化方法。在通信、計算機、交通、保健和健身、能源、環境管理、安保和娛樂應用領域推動高科技創新應用發展，同時高科技創新應用也為該組織發展提供動力。

ENIAC JU成立于2008年2月。2013年，該組織將全年分配研究資金。被選中的融資項目將于2017年12月31日終止。通過ENIAC JU產生的研發活動估計總值達到30億歐元。