ARM：期待14nmFinFET制程技術有所突破提升技術進度
2013-05-02 22:15:27 本站原創自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當然還是必須協同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術進度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(TapeOut)14nmFinFET制程技術的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關鍵，但目前仍有技術上的問題必須克服。
日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術授權(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術)。而低功耗一直以來都是ARM的強打特色，不過，隨著效能的不斷提升，功耗問題就更明顯，反觀Intel這一兩年開始對低功耗市場投以關愛眼神，再加上在制程技術方面Intel明顯優于其他大廠，未來能夠推出高效能兼具低功耗的處理器也不無可能。
ARM表示，目前所合作的夥伴是透過DVFS(動態電壓與頻率調節)技術來設計SoC，除了能夠提升性能亦可降低負載，并且受惠于14nmFinFET制程技術更低的工作電壓，以及擴大在低檔和過載條件下的電壓范圍，讓ARM的Big.Little架構能夠在中低程度的工作負載下，得以提高高階產品的效能，同時更具效率。
不過隨著半導體技術所面對的困難及復雜程度日益距增，就連是身為半導體龍頭的Inte同樣在半導體路上舉步維艱。反觀對于正在期待14nmFinFET制程技術有所突破的ARM而言，不僅要面對希望產品盡快上市的壓力，更希望處理器能夠更加進步，畢竟想要跟Intel在行動裝置與伺服器市場比拼，就必須盡快提升自家與合作夥伴的技術進度。
