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給力!三星單芯片16GB容量高性能閃存來了

2013-04-14 16:37:06 本站原創
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三星宣布開始用10nm級別制程量產128Gb,3bit MLC NAND閃存芯片,這意味著單芯片16GB容量。憑借這種新芯片,三星可以擴展其128GB閃存卡的供應。

3bit MLC也叫做TLC,表示閃存芯片中的每個cell可以容納3bit數據。我們知道閃存芯片目前主要有三種類型,分別是SLC(single-level-cell), MLC( multi-level-cell)和TLC(triple-level-cell)。SLC的壽命較長,而MLC和TLC比較便宜。三星計劃采用這種閃存芯片來量產500GB以上容量的SSD,進一步推動臺式機和筆記本中用SSD取代傳統硬盤。

另外,在Android手機中采用這種芯片也可以在手機體積不變的前提下增加其內部存儲空間。

這種新閃存芯片在存儲密度和讀寫性能方面都達到目前業界最高標準——在DDR 2.0界面上可以達到400Mbps的數據傳輸率。

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