Imec與新思科技合作 將TCAD應(yīng)用于10nm FinFET制程
2012-12-25 20:43:31 本站原創(chuàng)比利時(shí)納米電子研發(fā)機(jī)構(gòu)愛(ài)美科(Imec)與全球晶片設(shè)計(jì)、驗(yàn)證與制造及電子系統(tǒng)軟體供應(yīng)商新思科技(Synopsys)宣布，雙方將擴(kuò)大合作范圍并將電腦輔助設(shè)計(jì)技術(shù)(Technology Computer Aided Design， TCAD)應(yīng)用于10納米鰭式電晶體 (FinFET)制程。
此合作案是以14納米等制程為基礎(chǔ)，而透過(guò)這項(xiàng)合作案，新思科技的Sentaurus TCAD 模型將可有效支援新世代FinFET 裝置。雙方的合作將包含新裝置架構(gòu)的3D建模(3-D modeling)，可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)高效能、低功耗的產(chǎn)品。
愛(ài)美科邏輯程式部(logic program)總監(jiān)Aaron Thean表示，該機(jī)構(gòu)當(dāng)前的研發(fā)重點(diǎn)在于解決10納米制程所面臨的半導(dǎo)體裝置及材料上的挑戰(zhàn)，而新思科技是TCAD技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，與新思科技合作將可強(qiáng)化其在先進(jìn)研究領(lǐng)域的影響力。
愛(ài)美科與一流IC廠(chǎng)商合作研發(fā)先進(jìn)CMOS微縮(scaling)技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)涉及的不只是如何縮小晶片尺寸，裝置微縮(device scaling)還需要新材料(materials)、裝置架構(gòu)(device architectures)、3D整合及光學(xué)(photonics)等各式新技術(shù)的支援。愛(ài)美科與新思科技的合作特別強(qiáng)調(diào)FinFET與tunnel FET (TFET)在新裝置架構(gòu)的開(kāi)發(fā)及最佳化(optimization)。
于12月8日至10日在舊金山所舉辦的2012年國(guó)際電子元件大會(huì)(IEEE International Electron Devices Meeting，IEDM)上，愛(ài)美科發(fā)表了利用應(yīng)力源(stressor)提升載子遷移率(carrier mobility)的研究論文，這對(duì)10納米FinFET裝置的微縮相當(dāng)重要。而使用新思科技的TCAD工具將有助于愛(ài)美科加??速此項(xiàng)研究的發(fā)展。
新思科技矽晶工程事業(yè)群資深副總裁暨總經(jīng)理柯復(fù)華表示：「與愛(ài)美科擴(kuò)大合作有助于提升新思科技對(duì)于新世代FinFET裝置建模的TCAD模擬工具。愛(ài)美科為一以先進(jìn)研發(fā)著稱(chēng)的知名專(zhuān)業(yè)廠(chǎng)商，而雙方的合作將有助于強(qiáng)化新思的TCAD解決方案。」
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