美高森美公司推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500
2012-11-29 08:45:51 本站原創在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能，通過單一器件在這個頻段上提供最大功率，主要特性包括：
· 標準脈沖間歇格式： 100µs, 10 % DF
· 出色的輸出功率： 500W
· 高功率增益： >11.5 dB min
· 漏極偏壓−Vdd： +65V
· 低熱阻： 0.2℃/W
使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現的系統優勢包括：
· 具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外合成的較低功率器件
· 最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級合成
· 單級對管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率，通過四路組合提供全系統2kW峰值輸出功率
· 65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求
· 極其穩健的性能提升了系統良率，而且
· 放大器尺寸比使用硅雙極結晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件的產品減小50%
封裝和供貨：
2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨，在密封的焊料密封封裝中采用100% 高溫金鍍金線材布線，實現長期軍用級可靠性。
