三星存儲芯片率先進入10nm制程
2012-11-18 22:27:42 本站原創(chuàng)早在今年8月份的時候三星就宣布量產(chǎn)ultra-fast eMMC存儲芯片，目前這一芯片已經(jīng)開始移植到最新一代的產(chǎn)品中來。根據(jù)三星的官方描述這個存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
盡管最新的芯片依然采用JEDEC的eMMC 4.5接口標準，不過三星表示在明年的時候?qū)⒂瓉硇碌慕涌谠O(shè)計以提升產(chǎn)品的傳輸性能。
目前這款產(chǎn)品的寫速度達到了2,000 IOPS(每秒的輸入吞吐量)而讀速度達到了5000 IOPS。而前代產(chǎn)品的讀寫速度僅為1500/3500 IOPS，同時在帶寬方面讀寫也達到了260MB/s和50MB/s。
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