三星存儲芯片率先進入10nm制程
2012-11-15 22:06:13 本站原創早在今年8月份的時候三星就宣布量產ultra-fast eMMC存儲芯片，目前這一芯片已經開始移植到最新一代的產品中來。根據三星的官方描述這個存儲芯片已經從原有的20nm制程進入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產品在外觀上小20%，性能和勞動生產效率方面比前代產品提升了30%。
盡管最新的芯片依然采用JEDEC的eMMC 4.5接口標準，不過三星表示在明年的時候將迎來新的接口設計以提升產品的傳輸性能。
目前這款產品的寫速度達到了2,000 IOPS(每秒的輸入吞吐量)而讀速度達到了5000 IOPS。而前代產品的讀寫速度僅為1500/3500 IOPS，同時在帶寬方面讀寫也達到了260MB/s和50MB/s。
