賽普拉斯退出16-Mbit nvSRAM 系列
2012-09-12 21:32:53 本站原創(chuàng)16-Mbit nvSRAM 的存取時間低至 僅25 ns，使其成為市場上速度最快的異步非易失性 RAM。此外，全新器件還提供了可選的集成實時時鐘 (RTC)，這是同類競爭解決方案所不具備的特性。RTC 功能可用于給重要的數據打上時間標記，以便記錄。賽普拉斯的 nvSRAM 支持無限次讀，寫和恢復(recall)周期，數據保留時間長達 20 年，使其成為面向需要連續(xù)高速數據寫入和絕對非易失性數據安全性應用的業(yè)界最佳解決方案。
賽普拉斯非易失性產品業(yè)務部副總裁 Babak Taheri 指出：“全新 16-Mbit 系列產品超越了速度、密度和性能的極限，同時還保持了我們 nvSRAM 產品系列標志性的出色可靠性。同步 NAND 接口為賽普拉斯 nvSRAM 開辟了多個全新的市場，擴展了我們整體非易失性解決方案的廣度和靈活性。”
ONFI NAND 接口 nvSRAM 支持 ONFI 3.0 NV-DDR 接口 (100MHz) 和 ONFI 3.0 NV-DDR2 接口 (200MHz)。Toggle NAND 接口 nvSRAM 與 Toggle 2.0 NAND 控制器兼容，支持 DDR 工作在200MHz。
ONFI 和 Toggle 版本都能支持 x8 和 x16 數據總線寬度的單通道工作，同時也支持 x8 位數據總線寬度的雙通道和四通道工作，可實現(xiàn)每秒高達 4 億次的事務處理。
供貨情況
16-Mbit nvSRAM 系列目前已開始提供樣片，預計將于 2013 年第一季度投入量產。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 內核電壓、1.8V IO 電源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封裝。兩款異步器件(帶和不帶 RTC 功能)均可提供 8 位、16 位和 32 位數據總線寬度，供電電壓為 2.5V、3V 和 5V。這些器件分別采用了 44 引腳 TSOPII 封裝、48 引腳 TSOPI 封裝和 165 焊球 FBGA 封裝。
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