士蘭微電子內置高壓MOS管的原邊控制開關電源SD6853/6854
2011-12-18 08:41:26 本站原創(chuàng)杭州士蘭微電子公司在綠色電源控制器領域繼續(xù)推出新品----內置650V高壓MOS管的原邊控制開關電源SD6853/6854。該產品帶有可編程的線損補償和峰值電流補償功能，采用PFM調制技術，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。廣泛適用于手機充電器、小功率適配器、待機電源、MP3及其他便攜式設備。
SD6853/6854是離線式開關電源集成電路，內置高壓MOS管、帶有線損補償和峰值電流補償的高端開關電源控制器，采用了士蘭微電子自主知識產權的專利技術。通過檢測變壓器原級線圈的峰值電流和輔助線圈的反饋電壓，間接控制系統的輸出電壓和電流，從而達到輸出恒壓或者恒流的目的。在一定的輸出功率范圍內，可通過反饋電阻設定輸出電壓；可通過峰值電流采樣電阻設定輸出電流。也可以根據需要設置線損補償和峰值電流補償，以達到最佳的輸出電壓、輸出電流的調整率。
正常的工作周期分為峰值電流檢測和反饋電壓檢測：當MOS管導通，通過采樣電阻檢測原級線圈的電流，輸出電容對負載供電，輸出電壓VOUT下降；當原級線圈的電流到達峰值時，MOS管關斷，檢測FB端電壓，存儲在次級線圈的能量對輸出電容充電，輸出電壓VOUT上升，并對負載供電。當同時滿足恒壓、恒流環(huán)路控制的開啟條件后，MOS管才開啟，芯片再次進入峰值電流檢測。
此外，芯片內部集成了溫度保護電路，環(huán)路開路保護、限流電路、過壓保護、欠壓鎖定等多重功能電路，以保證芯片的工作環(huán)境正常，延長其使用壽命。
目前，SD6853提供4.0W輸出功率（5V /800mA），SD6854提供5.0W輸出功率（5V /1A），平均效率大于68%（采用1.8米AWG28線纜），待機功耗小于100mW，輸出電壓的負載調整率優(yōu)于±4.0%，輸出電壓的輸入線電壓調整率優(yōu)于±0.6%，整機對空氣的ESD能力大于±15KeV。后續(xù)SD6853提供輸出功率范圍可達到3W~5W，SD6854提供輸出功率范圍可達到5W~12W。
SD6853/6854基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內置高壓MOS管的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機調試等突出的特點。采用SD6853/6854設計整機系統，無需光耦和Y電容，可省去次級反饋控制、環(huán)路補償，僅需極少的外圍元器件即可構成完整的電源系統，大幅節(jié)省了系統耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶精簡設計布局，降低開發(fā)和制造成本。
小型充電設備今后的發(fā)展趨勢是更低的低待機功耗和更高的能量轉換效率，士蘭微電子將持續(xù)在該領域投入研發(fā)力量，不斷推出新品。預計2012年上半年將推出升級版SD6852/6853/6854，滿足能源之星2.0標準、LEVEL 5規(guī)格的電路，待機功耗小于30mW，平均效率可以達到70%。
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