Vishay推出新器件SiZ300DT和SiZ910DT
2011-11-14 19:54:07 本站原創Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉換器應用的PowerPAIR®家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴大了該系列產品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規格產品的獨家供應商。
采用PowerPAIR 3 x 3封裝的30V SiZ300DT和采用PowerPAIR 6 x 5封裝的SiZ910DT提供了新的占位面積選項，擴充了該系列產品。SiZ300DT定位在需要處理10A和以下電流的DC/DC應用，SiZ910DT適用于20A以上的應用。PowerPAIR 3 x 3的面積大約是PowerPAIR 6 x 5的1/3。
采用PowerPAIR 6 x 3.7封裝的三款新器件是業內首批產品，再加上此前推出的SiZ710DT，使這種尺寸規格器件的電壓范圍從20V擴展到30V。新的SiZ728DT是首款25V PowerPAIR 6 x 3.7器件，SiZ790DT是采用這種尺寸規格并提供一個板上肖特基二極管的首款器件。SiZ730DT是首個具有最低RDS(on)的30V PowerPAIR 6 x 3.7器件。
下表提供了所有五款新器件及SiZ710DT的詳細性能規格。有關Vishay的PowerPAIR® MOSFET完整產品組合的信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/powerpair-package/。
|
器件編號 |
Ch |
VDS (V) |
VGS (V) |
RDS(on) at VGS = |
Qg at VGS = |
ID at TA = | |||
|
10 V |
4.5 V |
10 V |
4.5 V |
25 °C |
70 °C | ||||
|
不對稱雙芯片N溝道 | |||||||||
|
PowerPAIR 3 x 3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiZ300DT |
1 |
30 |
20 |
0.024 |
0.032 |
7.4 |
3.5 |
9.8 |
7.8 |
|
2 |
30 |
20 |
0.011 |
0.0165 |
14.2 |
6.8 |
14.9 |
11.9 | |
|
PowerPAIR 6 x 3.7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiZ710DT |
1 |
20 |
20 |
0.0068 |
0.009 |
11.5 |
6.9 |
16 |
15 |
|
2 |
20 |
20 |
0.0033 |
0.0043 |
38 |
18.2 |
30 |
24 | |
|
SiZ728DT |
1 |
25 |
20 |
0.0077 |
0.011 |
17 |
8.1 |
16 |
14.2 |
|
2 |
25 |
20 |
0.0035 |
0.0048 |
42.5 |
20.5 |
28.8 |
23 | |
|
SiZ730DT |
1 |
30 |
20 |
0.0093 |
0.013 |
15.6 |
7.7 |
12.9 |
10.3 |
|
2 |
30 |
20 |
0.0039 |
0.0053 |
43 |
21.2 |
26.4 |
21.1 | |
|
PowerPAIR 6 x 5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiZ910DT |
1 |
30 |
20 |
0.0058 |
0.0075 |
26 |
12.5 |
22 |
17 |
|
2 |
30 |
20 |
0.0030 |
0.0035 |
60 |
29 |
32 |
26 | |
|
不對稱雙芯片N溝道外加集成的肖特基二極管 | |||||||||
|
PowerPAIR 6 x 3.7 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SiZ790DT |
1 |
30 |
20 |
0.0093 |
0.013 |
15.6 |
7.7 |
12.9 |
10.3 |
|
2 |
30 |
20 |
0.0047 |
0.0059 |
36 |
17 |
23.4 |
18.7 | |
Vishay Siliconix PowerPAIR® 家族中的各款器件將兩個MOSFET以最優的方式組合在單片封裝內，幫助簡化高效同步降壓單相和多相DC/DC轉換器的設計。通過增大低邊MOSFET的尺寸以實現更低的傳導損耗，器件的不對稱配置有效提高了性能表現。Vishay充分發揮TrenchFET® Gen III技術和PowerPAIR®的不對稱特點，將低邊MOSFET的最大導通電阻降至3mΩ，比同檔的不對稱器件降低了幾乎50%。
PowerPAIR器件為設計者提供了兩個封裝在一起的MOSFET，能夠簡化PCB布線并減少寄生電感，從而幫助降低開關損耗并提高效率。
新的PowerPAIR器件將在各種電子產品中更有效地使用能源和空間，這些產品包括筆記本電腦和桌面電腦、服務器、游戲機、機頂盒、電視機和調制解調器。
新款PowerPAIR器件現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
