應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美
半導體(ON Semiconductor)推出新系列的有源時鐘產生器集成電路(IC)，管理時鐘源的電磁干擾(EMI)及
射頻干擾(
RFI)，為所有依賴于時鐘的信號提供降低全系統級的EMI。
新的P3MS650100H及P3MS650103H 低壓互補金屬氧化物
半導體(LVCMOS) 降低峰值EMI時鐘產生器非常適合用于空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/
RFI可能是一項重要挑戰，而符合相關規范是先決條件。這些通用新器件采用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些擴頻型時鐘產生器提供業界最小的獨立式有源方案，以在時鐘源和源自時鐘源的下行時鐘及數據信號處降低EMI/
RFI。
P3MS650100H及P3MS650103H支持的輸入電壓范圍為1.8伏(V)至3.3 V，典型偏差為0.45%至1.4%，在時鐘源降低EMI/
RFI的頻率范圍在15兆赫茲(MHz)至60 MHz。工作溫度范圍為
-20 ºC至+85 ºC。
安森美
半導體定制工業及時序產品副總裁Ryan Cameron說：“需要符合EMI規范同時控制成本及把印制電路板(PCB)占用面積減至最小，是移動應用的重要挑戰。我們新的降低EMI IC克服這些挑戰，提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及數據信號處降低EMI/
RFI的高性價比方案。設計工程師在設計周期及早采用這些器件，可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或屏蔽來處理EMI/
RFI問題。”
安森美
半導體計劃在2012年第1季度推出這系列更多針對不同頻率范圍及派生版本的IC。
P3MS650xxxH采用4引腳WDFN封裝。
