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富士通半導體（上海）有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術的全新 SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A這3個型號，并從即日起開始為客戶提供樣片。

FRAM （Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器）將SRAM 的快寫與閃存的非易失性優勢集中在一塊芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個密度級。3個芯片的工作電壓范圍在3.0 ～ 3.6V，讀寫周期為100億次，數據保存在55°C的條件下可達10年，且其工作頻率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM產品在寫處理時無需電壓增壓器，非常適合低功率應用。該產品提供具有標準存儲器引腳配置的8引腳封裝，完全兼容E2PROM芯片。

FRAM獨立存儲芯片可廣泛用于計量、工廠自動化應用以及需要數據采集、高速寫入和耐久性的行業。對客戶來說，FRAM不僅可以取代所有使用電池支持的解決方案，同時也是一款綠色環保的產品。除 SPI FRAM家族之外，富士通半導體還提供帶I²C和并行口的FRAM獨立芯片，密度級從16Kbit到4Mbit不等。此外，富士通還計劃進一步擴展FRAM組合以滿足市場需求。憑借領先的技術開發和完善的制造工藝，富士通半導體不斷優化產品設計，并加強與工廠間的密切合作，為向市場穩定地提供高質量產品打下了基礎。

產品型號	存儲器容量	電源電壓	工作溫度	寫/擦次數	數據保持	封裝
MB85RS256A	256K bit	3.0—3.6v	-40—85	100億次	10年	SOP-8
MB85RS128A	128K bit	3.0—3.6v	-40—85	100億次	10年	SOP-8
MB85RS64A	64K bit	3.0—3.6v	-40—85	100億次	10年	SOP-8